參數(shù)資料
型號： MRF7S38010H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大小： 528K
代理商： MRF7S38010H
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 50
Ω
Z
load
Z
source
f = 3600 MHz
f = 3400
MHz
f = 3400
MHz
f = 3600 MHz
V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA, P
out
= 2 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
3400
31.79 - j0.13
13.92 - j11.33
3425
32.46 - j3.62
14.61 - j11.40
3450
32.58 - j6.82
15.53 - j11.36
3475
32.29 - j9.43
16.44 - j11.28
3500
31.32 - j11.63
17.25 - j11.07
3525
30.03 - j13.46
18.11 - j10.64
3550
28.76 - j15.19
18.96 - j10.22
3575
27.24 - j16.25
19.60 - j9.68
3600
25.51 - j17.02
20.17 - j8.99
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Z
load
=
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9002NR2 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9030MR1_07 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF9045LR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF9060LR1 RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF7S38010HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38040HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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