參數(shù)資料
型號： MRF7S38010H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 528K
代理商： MRF7S38010H
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
250
10
9
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at V
DD
= 30 Vdc, P
out
= 2 W Avg., and
η
D
= 17%.
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu
lators by product.
10
7
10
6
10
5
110
130
150
170
190
M
210
230
10
8
WIMAX TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 13. OFDM 802.16d Test Signal
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
P
Input Signal
Compressed Output
Signal @ 2 W Avg. P
out
802.16d, 64 QAM
3
/
4
, 4 Bursts, 7 MHz
Channel Bandwidth, Input Signal
PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF
60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
7 MHz
Channel BW
7.2
1.8
5.4
3.6
0
1.8
3.6
5.4
9
9
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. WiMAX Spectrum Mask Specifications
7.2
Point C
Point C
System Type G
Point B
Point B
Point D
Point D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF9002NR2 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF9030MR1_07 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9030MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF9045LR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF9060LR1 RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
MRF7S38010HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38010HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S38040HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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