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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S38010H |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | MRF7S38010H |
MRF7S38010HR3 MRF7S38010HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
70
10
1
40
50
10
30
20
60
7th Order
5th Order
3rd Order
50
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWOTONE SPACING (MHz)
10
70
IM3U
20
30
50
1
100
I
40
IM3L
IM5U
IM5L
IM7L
IM7U
15
50
55
60
45
Figure 9. WiMAX, ACPR, Power Gain and Drain
Efficiency versus Output Power
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WiMAX
45
35
30
10
20
20
ACPR
η
D
,
p
,
A
η
D
40
25
15
G
ps
V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f1 = 3495
MHz, f2 = 3505 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
V
DD
= 30 Vdc, P
out
= 12 W (PEP), I
DQ
= 160
mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 3500 MHz
30
11
19
0
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 30 Vdc
I
DQ
= 160 mA
f = 3500 MHz
T
C
= 30 C
25 C
30 C
85 C
10
1
16
15
14
13
12
35
30
25
20
15
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
10
11
17
0
5
12
13
14
I
DQ
= 160 mA
f = 3500 MHz
25
V
DD
= 28 V
30 V
10
1
10
40
35
30
25
20
17
40
25 C
85 C
15
16
32 V
5
T
C
= 30 C
30 C
85 C
25 C
60
V
DD
= 30 Vdc, I
DQ
= 160 mA
f = 3500 MHz, 802.16d, 64 QAM
3
/
4
4 Bursts, 7 MHz Channel
Bandwidth, Input Signal PAR = 9.5 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
85 C
25 C
30 C
85 C
18
45
15
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF7S38010HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S38010HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V NI400 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S38010HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S38010HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 2W 30V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S38040HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 3600MHZ 8W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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