參數(shù)資料
型號： MRF7S21170HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 444K
代理商： MRF7S21170HR3
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
load
Z
source
f = 2060 MHz
f = 2220 MHz
f = 2220 MHz
f = 2060 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 50 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
2060
4.57 - j10.70
1.02 - j3.54
2080
4.57 - j10.38
0.99 - j3.34
2100
4.57 - j10.06
0.96 - j3.14
2120
4.52 - j9.72
0.93 - j2.94
2140
4.40 - j9.42
0.92 - j2.76
2160
4.15 - j9.12
0.91 - j2.59
2180
4.44 - j8.82
0.89 - j2.42
2200
4.19 - j8.53
0.88 - j2.25
2220
4.12 - j8.23
0.88 - j2.09
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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