參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S21150HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大小： 446K
代理商： MRF7S21150HR3
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
70
10
1
100
40
50
10
30
20
7th Order
5th Order
3rd Order
300
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1350 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
TWOTONE SPACING (MHz)
10
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 120 W (PEP), I
DQ
= 1350 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
IM3U
0
20
40
1
80
I
60
30
IM3L
IM5U
IM5L
IM7L
IM7U
50
Figure 9. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
1
3
5
30
Actual
Ideal
0
2
O
P
3 dB = 72.73 W
20
40
50
60
15
45
40
35
30
25
η
D
,
D
1 dB = 39.58 W
2 dB = 54.29 W
80
Figure 10. Digital Predistortion Correction versus
ACPR and Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
50
65
30
38
42
45
50
55
60
A
44
46
Uncorrected, Upper and Lower
DPD Corrected
No Memory Correction
DPD Corrected
with Memory Correction
48
300
13
19
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1350 mA
f = 2140 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
25 C
85 C
10
1
18
17
16
15
50
40
30
20
10
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
100
14
40
35
40
60
10
4
70
20
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1350 mA, f = 2140 MHz
SingleCarrier WCDMA, Input Signal
PAR = 7.5 dB, ACPR @
±
5 MHz Offset in
3.84 MHz, Integrated Bandwidth
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1350 mA
f = 2140 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB
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PDF描述
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF7S21170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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