參數(shù)資料
型號： MRF7S21150HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大?。?/td> 446K
代理商： MRF7S21150HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21150HR3 MRF7S21150HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 54.05 dBm (254 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1350 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
55
54
52
37
39
38
41
40
43
42
Actual
Ideal
P1dB = 53.1 dBm
(200 W)
57
49
P
o
,
P6dB = 54.68 dBm (294 W)
NOTE:
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak Output Power @ 28 V
53
58
59
60
61
35
34
33
32
51
50
31
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.66 - j8.05
0.53 - j2.26
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
36
P3dB = 54.94 dBm (311 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1350 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
55
54
52
37
39
38
41
40
43
42
Actual
Ideal
P1dB = 54.1 dBm
(257 W)
57
P
o
,
P6dB = 55.47 dBm (352 W)
NOTE:
Load Pull Test Fixture Tuned for Peak Output Power @ 32 V
53
58
59
60
62
61
35
34
33
32
51
50
44
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.66 - j8.05
0.64 - j2.17
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 32 V
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PDF描述
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF9030MR1 RF Power Field Effect Transistors
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MRF7S21150HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S21150HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S21150HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S21170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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