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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S21080HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 428K |
| 代理商： | MRF7S21080HR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21080HR3 MRF7S21080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
8
12
16
4
G
p
,
2220
2060
IRL
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ P
out
= 22 Watts Avg.
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 22 W (Avg.), I
DQ
= 800 mA
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
2160
2120
2100
19
18
2.5
34
33
32
31
30
0.5
1
1.5
η
D
I
P
24
8
12
16
20
η
D
,
E
2140
2080
2200
2180
18.4
18.2
17.8
17.6
17
2
4
17.2
17.4
18.6
18.8
0
G
ps
G
p
,
2220
2060
IRL
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ P
out
= 40 Watts Avg.
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 40 W (Avg.), I
DQ
= 800 mA
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth
Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
2160
2120
2100
18.2
17.4
4
45
44
43
42
2
2.5
3
η
D
I
P
η
D
,
E
2140
2080
2200
2180
17.8
17.6
17.2
17
16.4
3.5
16.6
16.8
18
41
G
ps
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
13
20
1
I
DQ
= 1200 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
400 mA
18
17
16
10
200
G
p
,
800 mA
15
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
I
DQ
= 400 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1200 mA
600 mA
10
20
30
40
100
60
50
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
I
I
200
800 mA
600 mA
1000 mA
19
14
1000 mA
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