參數(shù)資料
型號： MRF7S19170HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大小： 415K
代理商： MRF7S19170HR3
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
load
Z
source
f = 2040 MHz
f = 1880
MHz
f = 1880
MHz
f = 2040 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 50 W CW Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
1880
1.338 - j7.859
0.967 - j2.868
1900
1.515 - j7.609
0.942 - j2.725
1920
1.743 - j7.432
0.920 - j2.585
1940
2.007 - j7.352
0.893 - j2.449
1960
2.249 - j7.393
0.865 - j2.313
1980
2.410 - j7.553
0.841 - j2.192
2000
2.411 - j7.788
0.820 - j2.073
2020
2.244 - j7.995
0.802 - j1.957
2040
1.966 - j8.101
0.779 - j1.834
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 16. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010H RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9002NR2 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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