參數(shù)資料
型號: MRF7S19170HR3
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù): 5/13頁
文件大小: 415K
代理商: MRF7S19170HR3
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF7S19170HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF7S19170H
Rev 0
C
R1
R2
C3
C4
C5
R3
C7
C1 C2
C9
C17
C18
C13 C12
C14
C11
C10
C8
C15
C16
C19
C6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010H RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF9002NR2 RF Power Field Effect Transistor Array N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7S19170HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19170HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
MRF7S19170HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19170HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray