參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19170HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 3/13頁(yè)
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代理商： MRF7S19170HR3
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
— continued
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
=
28
Vdc, I
DQ
= 1400
mA, 1930-1990
MHz Bandwidth
Video Bandwidth
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
25
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ P
out
= 170
W CW
G
F
Φ
—
0.5
—
dB
Deviation from Linear Phase in 60 MHz Bandwidth
@ P
out
= 170
W CW
—
2.06
—
°
Group Delay @ P
out
= 170
W CW, f = 1960 MHz
Delay
—
4.7
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 170
W CW,
f = 1960 MHz
ΔΦ
—
16
—
°
Gain Variation over Temperature
Δ
G
—
0.015
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
Δ
P1dB
—
0.01
—
dBm/
°
C
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PDF描述
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