參數(shù)資料
型號： MRF7S19170HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 415K
代理商： MRF7S19170HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19170HR3 MRF7S19170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.97 dBm (249 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 m, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 1960 MHz
56
54
52
37
39
38
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 53.25 dBm
(211 W)
57
55
51
43
P
o
,
P6dB = 54.33 dBm (271 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
35
34
33
32
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
2.34 - j9.24
0.79 - j2.94
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
36
P3dB = 54.9 dBm (310 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 1960 MHz
56
54
52
37
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 54.14 dBm
(259 W)
57
55
43
P
o
,
P6dB = 55.27 dBm (336 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
62
35
34
33
45
38
39
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
2.34 - j9.24
0.79 - j2.94
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S38010H RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF7S19170HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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