參數(shù)資料
型號： MRF7S19100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 3/15頁
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代理商： MRF7S19100NBR1
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, 1930-1990 MHz Bandwidth
Video Bandwidth
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
30
—
MHz
Gain Flatness in 60 MHz Bandwidth @ P
out
= 100 W CW
G
F
—
1
—
dB
Group Delay @ P
out
= 100 W CW, f = 1960 MHz
Delay
—
2.15
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 100 W CW
ΔΦ
—
28.8
—
°
Gain Variation over Temperature
Δ
G
—
0.019
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
Δ
P1dB
—
0.015
—
dBm/
°
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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