參數(shù)資料
型號: MRF7S19100NBR1
廠商: 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù): 14/15頁
文件大小: 544K
代理商: MRF7S19100NBR1
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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
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PDF描述
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參數(shù)描述
MRF7S19100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19120NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 36W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19120NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S19170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray