參數(shù)資料
型號： MRF7S19080HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 646K
代理商： MRF7S19080HR3
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
in
f = 2070 MHz
Z
load
f = 1950 MHz
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 750 mA
Z
in
f
MHz
Z
load
1950
1960
1970
1980
1990
2000
2010
2020
2030
2040
2050
2060
2070
=
1.87 - j6.10
1.94 - j6.25
1.77 - j6.04
1.52 - j5.47
1.46 - j4.92
1.49 - j4.62
1.53 - j4.64
1.50 - j4.85
1.50 - j5.15
1.62 - j5.56
1.63 - j5.90
1.47 - j5.86
1.38 - j5.40
2.98 - j5.42
3.07 - j5.47
2.87 - j5.26
2.53 - j4.77
2.35 - j4.26
2.30 - j3.99
2.34 - j3.98
2.34 - j4.20
2.40 - j4.44
2.59 - j4.75
2.68 - j5.03
2.52 - j4.98
2.35 - j4.54
Z
in
Device input impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 23. Series Equivalent Input and Load Impedance — TD-SCDMA
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
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