參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19080HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 12/16頁(yè)
文件大小： 646K
代理商： MRF7S19080HR3
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S19080HR3 MRF7S19080HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 19. 3-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
30
24
35
20
40
12
0
3
9
8
55
A
45
50
1
4
AdjU
η
D
,
η
D
3Carrier TDSCDMA
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
AltU
AltL
2
6
4
5
7
8
16
AdjL
60
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 20. 6-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
30
24
40
16
12
0.5
8
55
45
50
1.5
4
AdjL
η
D
,
η
D
6Carrier TDSCDMA
V
DD
= 28 V, I
DQ
= 750 mA
f = 2017.5 MHz
AltU
AltL
A
AdjU
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
45
20
TD-SCDMA TEST SIGNAL
80
130
30
(
40
50
60
70
90
100
110
120
1.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 15 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 3-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
80
130
30
(
40
50
60
70
90
100
110
120
2.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 25 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. 6-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
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PDF描述
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MRF7S19080HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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