參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S18170H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 9/15頁(yè)
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代理商： MRF7S18170H
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
60
10
1
100
40
50
10
30
20
7th Order
5th Order
3rd Order
Figure 10. Intermodulation Distortion
Products versus Tone Spacing
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 11. Output Peak-to-Average Ratio
Compression (PARC) versus Output Power
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
1
3
5
45
Actual
Ideal
0
2
4
O
P
Figure 12. Digital Predistortion Correction versus
ACPR and Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
50
70
20
40
42
41
30
40
50
60
A
43
44
45
46
47
Uncorrected, Upper and Lower
DPD Corrected,
with Memory Correction
400
19
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 13. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1400 mA
f = 1840 MHz
T
C
= 30 C
25 C
85 C
30 C
25 C
85 C
10
1
18
50
40
30
20
10
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, f = 1840 MHz
SingleCarrier WCDMA, PAR = 7.5 dB, ACPR @
5 MHz Offset in 3.84 MHz Integrated Bandwidth
10
55
0
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W (PEP)
I
DQ
= 1400 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 1840 MHz
IM3U
10
15
20
25
40
45
1
100
I
30
60
400
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f1 = 1835 MHz, f2 = 1845 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
50
30
35
IM3L
IM5U
IM5L
IM7L
IM7U
75
105
100
20
50
45
40
35
30
25
η
D
,
D
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA
f = 1840 MHz, Input PAR = 7.5 dB
1 dB = 47.811 W
5
90
120
2 dB = 64.519 W
3 dB = 84.995 W
17
16
15
14
13
48
49
DPD Corrected, No Memory
Correction
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S19100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF7S18170HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19080HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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