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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S18170H |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)） |
| 文件頁數(shù)： | 8/15頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | MRF7S18170H |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
1940
1760
IRL
G
ps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ P
out
= 50 Watts Avg.
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 50 W (Avg.), I
DQ
= 1400 mA
SingleCarrier WCDMA, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
1860
1820
1800
10
18
17
16
15
14
13
12
11
3.1
36
34
32
30
28
1
1.7
2.4
η
D
I
P
17
5
8
11
14
η
D
,
E
1840
1780
1900
1880
G
p
,
1940
1760
IRL
G
ps
PARC
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Output Peak-to-Average Ratio Compression (PARC)
Broadband Performance @ P
out
= 80 Watts Avg.
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 80 W (Avg.)
I
DQ
= 1400 mA, SingleCarrier WCDMA
1860
1820
1800
10
18
17
16
15
14
13
12
11
4.8
46
44
42
40
38
2.7
3.4
4.1
η
D
I
P
17
5
8
11
14
η
D
,
E
1840
1780
1900
1880
Figure 7. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
19
1
I
DQ
= 2100 mA
1750 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 1835 MHz, f2 = 1845 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
700 mA
1400 mA
10
400
G
p
,
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
30
40
100
60
50
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 1835 MHz, f2 = 1845 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1
I
I
400
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
1920
1920
1050 mA
18
17
16
15
14
I
DQ
= 700 mA
1750 mA
1400 mA
1050 mA
2100 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF7S19080HR3 | RF Power Field Effect Transistors |
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| MRF7S19170HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF7S21080HR3 | RF Power Field Effect Transistors |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF7S18170HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S18170HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S19080HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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