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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S18170H |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)） |
| 文件頁數(shù)： | 7/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | MRF7S18170H |
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 4. MRF7S18170HSR3 Test Circuit Component Layout — NI-880S
MRF7S18170H
Rev. 4
R2
C
R3
C2
C4
C3
R1
C1
C18
C19
C20
C5
C16
C6
C7
C14
C8
C9
C15
C11
C12
C17
C10
C13
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| MRF7S18170HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S18170HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S18170HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S19080HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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