參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S18170H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
文件大小： 487K
代理商： MRF7S18170H
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, 1805-1880 MHz Bandwidth
Video Bandwidth
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
Δ
IMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
—
25
—
MHz
Gain Flatness in 75 MHz Bandwidth @ P
out
= 170
W CW
G
F
—
0.4
—
dB
Deviation from Linear Phase in 75 MHz Bandwidth @ P
out
= 170
W CW
Φ
—
2.5
—
°
Group Delay @ P
out
= 170
W CW, f = 1840 MHz
Delay
—
4.2
—
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ P
out
= 170
W CW,
f = 1840 MHz
ΔΦ
—
15
—
°
Gain Variation over Temperature
Δ
G
—
0.015
—
dB/
°
C
Output Power Variation over Temperature
Δ
P1dB
—
0.01
—
dBm/
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF7S19080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S19100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S19170HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF7S21080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S21150HR3 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF7S18170HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19080HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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