參數(shù)資料
型號： MRF7S18170H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 487K
代理商： MRF7S18170H
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B-03
ISSUE D
NI-880
MRF7S18170HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.16 (29.57) BASED ON M3 SCREW.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.175
0.872
MAX
1.345
0.545
0.200
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
13.6
3.73
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.44
22.15
MAX
34.16
13.8
5.08
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.205
0.888
1.70
5.21
22.55
N
Q
R
S
0.871
.118
0.515
0.515
0.007 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.889
.138
0.525
0.525
19.30
3.00
13.10
13.10
0.178 REF
0.254 REF
0.381 REF
22.60
3.51
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
T
G
K
C
E
H
F
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
aaa
bbb
ccc
4
NI-880S
MRF7S18170HSR3
CASE 465C-02
ISSUE D
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
MIN
0.905
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
0.057
0.170
0.872
MAX
0.915
0.545
0.200
0.505
0.045
0.006
0.067
0.210
0.888
MIN
22.99
13.60
3.73
12.57
0.89
0.08
1.45
4.32
22.15
MAX
23.24
13.80
5.08
12.83
1.14
0.15
1.70
5.33
22.55
MILLIMETERS
INCHES
N
R
S
0.871
0.515
0.515
0.007 REF
0.889
0.525
0.525
19.30
13.10
13.10
0.178 REF
22.60
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
SEATING
PLANE
2
D
K
C
E
H
F
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
N
(LID)
T
A
A
(FLANGE)
T
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
S
(INSULATOR)
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
bbb
ccc
0.010 REF
0.015 REF
0.254 REF
0.381 REF
aaa
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MRF7S18170HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S18170HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF7S19080HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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