參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2300NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大小： 525K
代理商： MRF6V2300NBR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
Z
o
= 5
Ω
Z
load
Z
source
f = 220 MHz
f = 220 MHz
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 300 W CW
f
MHz
Z
source
Z
load
220
1.23 + j3.69
2.43 + j2.04
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6VP11KHR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S18170H RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S19080HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF7S19100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6V2300NBR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2300NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2300N Series 10 - 600 MHz 300 W 50 V N-Channel Single-Ended RF Power MOSFET
MRF6V2300NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 300W TO270WB4N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2300NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2300N Series 10 - 600 MHz 300 W 50 V N-Channel Single-Ended RF Power MOSFET
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