參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2150NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大小： 521K
代理商： MRF6V2150NBR1
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
1
1000
0
20
10
V
DS
, DRAINSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitance versus Drain-Source Voltage
C
30
C
iss
1
100
1
T
C
= 25
°
C
10
10
V
DS
, DRAINSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. DC Safe Operating Area
I
D
,
40
5
0
DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
20
120
Figure 6. DC Drain Current versus Drain Voltage
I
D
,
60
21
25
1
23
22
26
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 7. CW Power Gain versus Output Power
G
p
,
V
DD
= 50 Vdc
f = 220 MHz
100
10
40
100
24
V
GS
= 3 V
C
oss
C
rss
80
100
2.75 V
2.63 V
2.5 V
2.25 V
27
100
60
10
5
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
25
30
35
40
10
100
I
D
V
DD
= 50 Vdc, f1 = 220 MHz, f2 = 220.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
45
50
32
48
58
22
26
24
56
54
52
50
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 9. CW Output Power versus Input Power
P
o
,
28
30
P3dB = 52.61 dBm (182.39 W)
Actual
Ideal
P1dB = 52.27 dBm (168.66 W)
V
DD
= 50 Vdc, I
DQ
= 450 mA
f = 220 MHz
200
3
2
1
0
10
200
563 mA
I
DQ
= 675 mA
I
DQ
= 225 mA
336 mA
Measured with
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz
V
GS
= 0 Vdc
4
450 mA
337 mA
225 mA
55
15
20
450 mA
563 mA
685 mA
900 mA
300
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6VP11KHR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF7S18170H RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6V2150NBR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 150W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2150NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2150 Series 10 - 450 MHz 150 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - TO-272
MRF6V2150NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 150W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2150NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150NR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:RF POWER MOSFET 10-450 MHz, 150 W, 50 V
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*