參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6V2010NBR1
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 6/15頁(yè)
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代理商： MRF6V2010NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6V2010NR1 MRF6V2010NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 9. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
V
DD
= 20 V
25
V
14
10
26
0
8
2
18
16
4
6
24
22
I
DQ
= 30 mA
f = 220 MHz
30
V
35
V
40
V
50
V
20
10
12
45
V
25
20
45
0
25 C
T
C
= 30 C
85 C
15
5
35
30
25
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 10. Power Output versus Power Input
P
o
,
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 30 mA
f = 220 MHz
10
20
40
18
26
0.1
0
72
1
25
23
21
63
54
45
36
27
18
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
p
,
η
D
D
η
D
24
22
20
10
20
25 C
T
C
= 30 C
85 C
85 C
G
ps
V
DD
= 50 Vdc
I
DQ
= 30 mA
f = 220 MHz
25 C
30 C
14
12
19
9
250
10
8
90
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
Figure 12. MTTF versus Junction Temperature
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at V
DD
= 50 Vdc, P
out
= 10 W CW, and
η
D
= 62%.
MTTF calculator available at http:/www.freescale.com/rf. Select Tools/
Software/Application Software/Calculators to access the MTTF calcu
lators by product.
10
7
10
6
10
5
110
130
150
170
190
M
210
230
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6V2010NBR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W Latrl N-Ch. Broadband MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NBR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6V2010 Series 450 MHz 10 W 50 V N-Channel RF Power MOSFET - TO-272
MRF6V2010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V2010NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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