參數(shù)資料
型號： MRF6S9160HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 9/12頁
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代理商： MRF6S9160HR3
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 14. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±
750 kHz Offset. ALT1 Measured in 30 kHz
Bandwidth @
±
1.98
M
Hz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
P
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.........
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ACPR in 30 kHz
Integrated BW
......
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60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7
2.2
1.5
0
0.7
1.5
2.2
2.9
3.6
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
+ALT1 in 30 kHz
Integrated BW
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PDF描述
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