參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9160HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)）
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 546K
代理商： MRF6S9160HR3
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 81
°
C, 160 W CW
Case Temperature 73
°
C, 35 W CW
R
θ
JC
0.31
0.33
°
C/W
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1A (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 525
μ
Adc)
V
GS(th)
1
2
3
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 1200 mAdc, Measured in Functional Test)
V
GS(Q)
2
3
4
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 3.6 Adc)
V
DS(on)
0.1
0.2
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 8 Adc)
g
fs
—
9.7
—
S
Dynamic Characteristics
(3)
Output Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
80.2
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.2
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1200 mA, P
out
= 35 W Avg. N-CDMA,
f = 880 MHz, Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth @
±
750 kHz
Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF
Power Gain
G
ps
η
D
20
20.9
23
dB
Drain Efficiency
29
30.5
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-46.8
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-17
-9
dB
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to
access the MTTF calculators by product.
2. Refer to AN1955,
Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.
Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
3. Part is internally matched on input.
(continued)
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PDF描述
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2300NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S9160HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
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MRF6V10010NR4 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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