參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
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代理商： MRF6S9130HR3
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
A
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
0
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 130 W (PEP), I
DQ
= 950 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 880 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
30
40
35
30
40
20
45
50
1
10
100
10
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, f = 880 MHz
NCDMA IS95, Pilot, Sync, Paging
Traffic Codes 8 Through 13
37
56
P3dB = 52.54 dBm (179.47 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 880 MHz
55
54
52
50
33
32
35
34
36
Actual
Ideal
P1dB = 51.8 dBm (151.36 W)
55.5
51
53
31
300
13
20
1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
100
10
19
18
17
16
15
60
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
ps
η
D
,
p
,
η
D
,
I
P
o
,
η
D
G
ps
G
p
,
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
250
14
20
0
200
50
16
15
100
150
18
17
19
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
50
55
η
D
ACPR
20
V
24
V
28
V
32
V
10
54.5
53.5
52.5
51.5
50.5
31.5
32.5
33.5
34.5
35.5
36.5
150
14
50
19.5
18.5
17.5
16.5
15.5
14.5
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PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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