參數(shù)資料
型號： MRF6S9130HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 483K
代理商： MRF6S9130HR3
MRF6S9130HR3 MRF6S9130HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA,
P
out
= 56 W Avg., 921 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
18.5
—
dB
Drain Efficiency
—
44
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.5
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-75
—
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 130 W,
921 MHz<Frequency<960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
18
—
dB
Drain Efficiency
—
63
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 940 MHz)
P1dB
—
135
—
W
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PDF描述
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2150N N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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