參數(shù)資料
型號： MRF6S9125NR1_06
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大小： 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
22
1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
T
C
= 30 C
30 C
85 C
10
21
20
18
16
60
50
40
30
20
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 12 V
16 V
G
p
,
250
16
21
0
17
19
18
20
I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz
19
17
15
10
25 C
50
100
200
20 V
24 V
28 V
32 V
200
85 C
25 C
150
210
10
9
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
8
10
7
M
2
)
90
110
130
150
170
190
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
100
120
140
160
180
200
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PDF描述
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
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