參數(shù)資料
型號： MRF6S9125NR1_06
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/20頁
文件大?。?/td> 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
25
20
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 27 Watts Avg.
890
880
870
860
18.5
20.5
20.3
70
34
32
30
40
50
60
η
D
,
E
20
19.8
19.5
19.3
19
30
900
ALT1
15
10
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 27 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
G
p
,
I
A
25
20
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 62.5 Watts Avg.
900
890
880
870
860
18
19.6
19.4
70
52
48
44
40
50
60
η
D
,
E
19.2
19
18.8
18.6
18.4
30
15
10
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 62.5 W (Avg.)
I
DQ
= 950 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
16
22
I
DQ
= 1475 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20
18
10
G
p
,
21
19
1187 mA
950 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
60
40
I
I
50
18.2
40
17
712 mA
475 mA
18.8
28
η
D
η
D
ALT1
300
I
DQ
= 1425 mA
1187 mA
950 mA
712 mA
475 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9130H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR5 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9130HSR3 功能描述:MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*