參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125NR1_06
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/20頁(yè)
文件大?。?/td> 865K
代理商： MRF6S9125NR1_06
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical GSM EDGE Performances
(In Freescale GSM EDGE Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA,
P
out
= 60 W Avg., 921-960 MHz, EDGE Modulation
Power Gain
G
ps
—
20
—
dB
Drain Efficiency
η
D
—
40
—
%
Error Vector Magnitude
EVM
—
1.8
—
% rms
Spectral Regrowth at 400 kHz Offset
SR1
—
-63
—
dBc
Spectral Regrowth at 600 kHz Offset
SR2
—
-78
—
dBc
Typical CW Performances
(In Freescale GSM Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA, P
out
= 125 W,
921-960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
—
19
—
dB
Drain Efficiency
—
62
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-12
—
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
(f = 880 MHz)
P1dB
—
125
—
W
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PDF描述
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF6V2010NBR1 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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