參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9125
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
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代理商： MRF6S9125
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
70
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
300
I
50
60
100
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
10
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W (PEP)
I
DQ
= 950 mA, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
5th Order
20
30
40
50
1
100
I
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
36
56
29
P3dB = 52.4 dBm (172.5 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
54
52
50
48
30
32
31
34
33
35
Actual
Ideal
55
53
49
51
28
P
o
,
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
80
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
50
30
40
40
30
50
20
60
10
0.1
10
70
ALT1
η
D
G
ps
T
C
= 30 C
85 C
ACPR
η
D
,
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 (Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13)
A
A
3rd Order
30 C
P1dB = 51.5 dBm (139.3 W)
1
100
200
25 C
85 C
25 C
30 C
25 C
25 C
85 C
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 950 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, Center Frequency = 880 MHz
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PDF描述
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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MRF6V2010N RF Power Field Effect Transistor
MRF6V2150NBR1 RF Power Field-Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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MRF6S9125N 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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