參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9060NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
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代理商： MRF6S9060NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
24
20
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 14 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20.6
22
21.8
65
40
35
30
50
55
60
η
D
,
E
η
D
21.6
21.4
21.2
21
20.8
45
910
ALT1
16
12
8
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 14 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
NCDMA IS95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
G
p
,
I
A
20
16
920
840
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 28 Watts Avg.
900
890
880
870
860
850
20
21.6
21.4
64
50
48
46
40
48
56
η
D
,
E
η
D
21.2
21
20.8
20.6
20.4
32
910
ALT1
12
8
4
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W (Avg.), I
DQ
= 450 mA
NCDMA IS95 Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
17
23
I
DQ
= 675 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
19
10
G
p
,
22
20
550 mA
450 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
60
40
I
I
I
DQ
= 225 mA
350 mA
50
20.2
44
18
350 mA
225 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
450 mA
550 mA
675 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9060NR1 CAP CER .10UF 100V 20% AXIAL
MRF6S9125NR1_06 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9130HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9160HR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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參數(shù)描述
MRF6S9060NR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9125 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-272-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9125MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 27W TO-270-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9125N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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