參數(shù)資料
型號： MRF6S9060
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 15/16頁
文件大?。?/td> 533K
代理商： MRF6S9060
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
ééééé
CASE 1337-03
ISSUE C
TO-272-2
PLASTIC
MRF6S9060NBR1(MBR1)
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M, 1994.
3. DATUM PLANE H IS LOCATED AT THE TOP OF
LEAD AND IS COINCIDENT WITH THE LEAD
WHERE THE LEAD EXITS THE PLASTIC BODY AT
THE TOP OF THE PARTING LINE.
4. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION. ALLOWABLE PROTRUSION
IS .006 PER SIDE. DIMENSIONS "D" AND "E1" DO
INCLUDE MOLD MISMATCH AND ARE
DETERMINED AT DATUM PLANE H.
5. DIMENSION "b1" DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE .005 TOTAL IN EXCESS
OF THE "b1" DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL
CONDITION.
6. DATUMS A AND B TO BE DETERMINED AT
DATUM PLANE H.
7. DIMENSION A2 APPLIES WITHIN ZONE "J" ONLY.
8. CROSSHATCHING REPRESENTS THE EXPOSED
AREA OF THE HEAT SLUG.
H
C
A
B
SEATING
PLANE
DATUM
PLANE
2X
b1
A
E1
r1
C A
LEAD
D
D1
E
NOTE 8
Y
Y
DIM
A
A1
A2
D
D1
E
E1
E2
MIN
.100
.039
.040
.928
.810 BSC
MAX
.104
.043
.042
.932
MIN
2.54
0.99
1.02
23.57
20.57 BSC
MAX
2.64
1.09
1.07
23.67
MILLIMETERS
INCHES
.438
.248
.241
.442
.252
.245
11.12
6.30
6.12
11.23
6.40
6.22
F
b1
c1
r1
aaa
.193
.007
.063
.011
.068
.18
1.60
1
VIEW Y-Y
.004
.10
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
.025 BSC
.28
1.73
PIN 3
A1
A2
F
ZONE "J"
7
B
aaa
M
aaa
M
C A
2X
.199
4.90
0.64 BSC
5.05
c1
2
DRAIN ID
GATE
LEAD
E2
E2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060NR1 CAP CER .10UF 100V 20% AXIAL
MRF6S9125NR1_06 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9125 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9060MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9060MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9060N 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MRF6S9060N - Bulk
MRF6S9060NBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-272-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9060NR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 14W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*