參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S9045MR1
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/16頁(yè)
文件大?。?/td> 530K
代理商： MRF6S9045MR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
30
25
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 10 Watts Avg.
900
890
880
870
860
21
23
22.8
70
35
34
33
50
55
60
η
D
,
E
η
D
22.6
22.4
22.2
22
21.8
45
ALT1
20
15
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
21.6
21.4
21.2
32
31
65
10
G
p
,
I
A
30
910
850
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 20 Watts Avg.
900
890
880
870
860
20.8
22.6
22.4
60
48
47
40
45
50
η
D
,
E
22.2
22
21.8
21.6
21.4
35
25
20
5
21.2
21
46
45
55
15
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
19
24
I
DQ
= 520 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
22
20
10
G
p
,23
21
475 mA
350 mA
1
300
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
275 mA
175 mA
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
30
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
100
70
40
I
I
I
DQ
= 175 mA
275 mA
50
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
475 mA
520 mA
350 mA
10
0.5
60
IRL
G
ps
ACPR
η
D
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.)
I
DQ
= 350 mA, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MR1 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
MRF6S9060 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S9045N 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045NR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S9060 制造商:FREESCALE 制造商全稱(chēng):Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*