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參數資料
| 型號： | MRF6S9045MR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 13/16頁 |
| 文件大小： | 530K |
| 代理商： | MRF6S9045MR1 |
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S9045NR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9060MR1 | CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014 |
| MRF6S9060 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9060MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MRF6S9045N | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S9045NBR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9045NR1 | 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| MRF6S9045NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S9060 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
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