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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S9045MBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大小： | 530K |
| 代理商： | MRF6S9045MBR1 |
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF6S9045NR1(MR1)/NBR1(MBR1) Test Circuit Component Layout
C15
TO270/272
Surface /
Bolt down
R2
R1
B1
R3
C7
L1
C1
C2
C3
C4
C6
C5
C8
L2
C10
C9
C11
C12
C13
C14
B2
C18
C16 C17
V
GG
V
DD
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF6S9045MR1 | RF Power Field Effect Transistors |
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參數(shù)描述 |
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| MRF6S9045NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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