參數(shù)資料
型號： MRF6S9045
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 7/16頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MRF6S9045
MRF6S9045NR1 MRF6S9045NBR1 MRF6S9045MR1 MRF6S9045MBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
10
80
10
7th Order
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
100
I
50
60
70
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA, f1 = 880 MHz
f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
Figure 8. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
70
0
0.05
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
5th Order
10
20
30
40
50
60
1
100
I
0.1
3rd Order
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W (PEP), I
DQ
= 350 mA
f1 = 880 MHz, f2 = 880.1 MHz, TwoTone Measurements
Center Frequency = 880 MHz
Figure 9. Pulse CW Output Power versus
Input Power
33
54
P3dB = 48.6 dBm (72.44 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 880 MHz
52
50
48
44
24
26
25
28
27
31
29
Actual
Ideal
P1dB = 48.2 dBm (66.07 W)
53
49
51
47
30
32
23
P
o
,
46
45
Figure 10. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1, Power
Gain and Drain Efficiency versus Output Power
0
85
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
25
50
35
40
45
30
55
10
75
1
10
65
20
ALT1
η
D
G
ps
T
C
= 25 C
85 C
ACPR
η
D
,
p
,
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 350 mA
f = 880 MHz, NCDMA IS95 Pilot
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
A
A
30 C
25 C
25 C
30 C
25 C
85 C
50
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PDF描述
MRF6S9045MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9060MR1 CAP 10PF 200V 200V X7R RAD.20 .20X.20 BULK P-MIL-PRF-39014
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參數(shù)描述
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MRF6S9045N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
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