參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S27085HSR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 358K
代理商： MRF6S27085HSR3
MRF6S27085HR3 MRF6S27085HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 1. MRF6S27085HR3(SR3) Test Circuit Schematic
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.287
″
x 0.753
″
Microstrip
0.220
″
x 0.384
″
Microstrip
0.122
″
x 0.580
″
Microstrip
0.266
″
x 0.148
″
Microstrip
0.130
″
x 0.425
″
Microstrip
0.380
″
x 0.081
″
Microstrip
0.703
″
x 0.081
″
Microstrip
Arlon GX-0300-5022, 0.030
″
,
ε
r
= 2.5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.672
″
x 0.081
″
Microstrip
0.050
″
x 0.250
″
Microstrip
0.288
″
x 0.081
″
Microstrip
0.200
″
x 0.480
″
Microstrip
0.270
″
x 0.172
″
Microstrip
0.260
″
x 0.810
″
Microstrip
0.366
″
x 0.490
″
Microstrip
0.083
″
x 0.490
″
Microstrip
0.091
″
x 0.753
″
Microstrip
RF
INPUT
DUT
C1
Z8
Z7
Z6
Z5
Z4
Z3
Z2
Z1
C3
R1
B2
L1
C8
C9
C10
C11
V
BIAS
B1
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
C2
RF
OUTPUT
Z16
C4
C5
C6
+
V
SUPPLY
C7
+
+
+
Table 5. MRF6S27085HR3(SR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
B1
Bead (0805)
B2
Bead, Surface Mount
C1, C2
4.7 pF Chip Capacitors, B Case
C3
3.6 pF Chip Capacitor, B Case
C4
10
μ
F, 50 V Chip Capacitor (2220)
C5, C8
2.2
μ
F, 50 V Chip Capacitors (1825)
C6
47
μ
F, 50 V Electrolytic Capacitor
C7
330
μ
F, 63 V Electrolytic Capacitor
C9
0.01
μ
F Chip Capacitor (1825)
C10
22
μ
F, 25 V Tantalum Capacitor
C11
47
μ
F, 16 V Tantalum Capacitor
L1
15 nH, Chip Inductor
R1
3.3 , 1/4 W Chip Resistor (1210)
Description
Part Number
Manufacturer
Fair-Rite
Fair-Rite
ATC
ATC
Murata
Kemet
Nippon
Nippon
Kemet
Panasonic TE Series
Kemet
AVX
Dale/Vishay
2508051107Y0
2743019447
100B4R7CP500X
100B3R6CP500X
GRM55DR61H106KA88B
C1825C225J5RAC
MVK50VC47RM8X10TP
NACZF331M63V
C1825C103J1RAC
ECS-T1ED226R
T491D476K016AS
L0603150GGW
ERJ-14YJ3R3U
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S27085HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S9045N RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045MR1 RF Power Field Effect Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S27085HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2700MHZ NCDMA NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S9045 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S9045MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S9045N 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*