- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359218 > MRF6S23140HR3 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司) RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S23140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大小： | 441K |
| 代理商： | MRF6S23140HR3 |
MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
I
18
9
12
15
2430
2270
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 28 Watts Avg.
2410
2390
2370
2350
2330
2310
2290
15.6
15.5
42
28
27
26
36
40
η
D
,
E
η
D
15.4
15.3
15.2
15
14.8
14.9
15.1
38
34
25
6
G
p
,
I
I
18
9
12
15
2430
2270
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 56 Watts Avg.
2410
2390
2370
2350
2330
2310
2290
15.1
15
33
38
37
36
27
31
η
D
,
E
η
D
14.9
14.8
14.7
14.5
14.3
14.4
14.6
29
25
35
6
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
100
11
18
1
I
DQ
= 1950 mA
1625 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
16
15
14
10
300
G
p
,
13
1300 mA
975 mA
650 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
50
1
I
DQ
= 650 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
20
30
40
60
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2345 MHz, f2 = 2355 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
10
I
I
10
1625 mA
975 mA
1300 mA
17
12
300
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 28 W (Avg.)
I
DQ
= 1300 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 56 W (Avg.)
I
DQ
= 1300 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
1950 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S24140HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S27015GNR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S27085HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S27085HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S9045N | RF Power Field Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S23140HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S23140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 28W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S24140H | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S24140HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 W-CDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。