參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S23100HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Dield Effect Transistors
中文描述： 射頻功率Dield場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大小： 416K
代理商： MRF6S23100HR3
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465-06
ISSUE G
NI-780
MRF6S23100HR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.380
0.125
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.774
MAX
1.345
0.390
0.170
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
9.65
3.18
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
19.66
MAX
34.16
9.91
4.32
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.786
1.70
5.33
19.96
N
Q
R
S
0.772
.118
0.365
0.365
0.005 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.788
.138
0.375
0.375
19.60
3.00
9.27
9.27
0.127 REF
0.254 REF
0.381 REF
20.00
3.51
9.53
9.52
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
G
K
C
E
H
S
F
aaa
bbb
ccc
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
CASE 465A-06
ISSUE H
NI-780S
MRF6S23100HSR3
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DELETED
4. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
N
MIN
0.805
0.380
0.125
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0.786
0.788
MIN
20.45
9.65
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19.61
19.61
MAX
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20.02
20.02
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0.365
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STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
5. SOURCE
C
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SEATING
PLANE
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M
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A
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M
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4X
Z
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4X
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A
M
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B
M
T
B
B
(FLANGE)
2X
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PDF描述
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