參數(shù)資料
型號： MRF6S23100H
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Dield Effect Transistors
中文描述： 射頻功率Dield場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 416K
代理商： MRF6S23100H
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S23100HR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100Hxx RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23100HSR3 RF Power Dield Effect Transistors
MRF6S23140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S24140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S23100HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6S23100HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S23100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2.3GHZ 20W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*