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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MRF6S21140HR3 |
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S23100H | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100HR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100Hxx | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100HSR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S21140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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