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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MRF6S21140HR3 |
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
I
I
21
12
15
18
G
p
,
G
p
,
I
I
21
12
15
18
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 30 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15.6
15.5
44
30
28
26
32
36
40
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 60 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
15
14.9
33
42
40
38
24
27
30
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
12
17
1
I
DQ
= 1800 mA
1500 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
16
15
14
10
1000
55
25
1
I
DQ
= 600 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1800 mA
100
30
35
40
45
50
60
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
10
η
D
,
E
η
D
η
D
η
D
,
E
G
p
,
I
I
15.4
15.3
15.2
15.1
15
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 30 W (Avg.),
I
DQ
= 1200 mA, 2Carrier WCDMA,
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel Bandwidth,
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (Avg.),
I
DQ
= 1200 mA, 2Carrier WCDMA,
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
13
1200 mA
900 mA
600 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
20
1500 mA
900 mA
1200 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S23100H | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100HR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100Hxx | RF Power Dield Effect Transistors |
| MRF6S23100HSR3 | RF Power Dield Effect Transistors |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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