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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21060NBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 6/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | MRF6S21060NBR1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
200
10
17
1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
10
16
14
12
60
50
40
30
η
D
,
G
p
,
15
13
11
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 610 mA
f = 2140 MHz
η
D
G
ps
I
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
10
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (PEP), I
DQ
= 610 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
60
0
20
40
30
30
10
10
200
40
40
57
P3dB = 49.986 dBm (99.68 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
53
49
45
43
32
30
36
34
Actual
Ideal
55
51
47
28
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
IM3
G
ps
η
D
,
p
,
I
P
o
,
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
120
10
16
0
12
11
20
13
14
I
DQ
= 610 mA
f = 2140 MHz
50
50
η
D
ACPR
20
V
24
V
28
V
32
V
38
1
10
40
60
80
10
20
P1dB = 49.252 dBm (84.18 W)
20
30 C
T
C
= 30 C
85 C
25 C
T
C
= 30 C
85 C
25 C
85 C
30 C
100
30 C
25 C
85 C
100
25 C
15
100
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 610 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier
Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
25 C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF6S21100NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S21140HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF6S21100HS | 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述: |
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