參數(shù)資料
型號： MRF6S21050LSR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應晶體管
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 429K
代理商： MRF6S21050LSR3
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
13
16.5
3
8
64
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
10
16
15
14
56
48
40
32
η
D
,
G
p
,
15.5
14.5
13.5
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 450 mA
f = 2140 MHz
η
D
G
ps
I
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
10
0.01
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 60 W (PEP), I
DQ
= 450 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 2140 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
0
60
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WCDMA
40
20
25
30
20
35
15
40
5
50
0.2
10
30
45
10
36
52
P3dB = 48.66 dBm (73.43 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 2140 MHz
50
48
46
44
30
29
32
31
35
Actual
Ideal
P1dB = 47.89 dBm (61.52 W)
51
49
45
47
28
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
IM3
G
ps
η
D
,
p
,
I
P
o
,
G
p
,
V
DD
= 12 V
16
V
100
12
17
0
90
10
14
13
20
30
15
14.5
16
I
DQ
= 450 mA
f = 2140 MHz
30
55
η
D
ACPR
20
V
24
V
28
V
32
V
0.1
33
34
35
1
25
16.5
15.5
13.5
12.5
40
50
60
70
80
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 450 mA, f1 = 2135 MHz
f2 = 2145 MHz, 2 x WCDMA, 10 MHz @ 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
16
24
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MRF6S21060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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