參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21050LSR3
廠(chǎng)商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 429K
代理商： MRF6S21050LSR3
MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
I
60
10
20
40
50
2200
2100
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 11.5 Watts
2190
2160
2150
2140
2130
2120
2110
15.4
16.4
42
30
28
26
24
22
34
36
40
η
D
,
E
η
D
16.3
16.2
16.1
16
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
2170 2180
38
32
30
G
p
,
I
I
35
10
15
25
30
2200
2100
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 23 Watts
2190
2160
2150
2140
2130
2120
2110
15
16
34
41
40
39
38
37
26
28
32
η
D
,
E
η
D
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
2170 2180
30
24
20
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
10
13.5
17.5
0.1
I
DQ
= 675 mA
560 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
1
100
G
p
,
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
450 mA
335 mA
225 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz
f2 = 2145
MHz, TwoTone
Measurements, 10 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
10
0.1
10
20
30
40
100
60
50
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
I
I
I
DQ
= 225 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
675 mA
450 mA
560 mA
335 mA
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 11.5 W (Avg.)
I
DQ
= 450 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 23 W (Avg.)
I
DQ
= 450 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
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PDF描述
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MRF6S21060N 制造商:FREESCALE-SEMI 功能描述:
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