參數(shù)資料
型號： MRF6S21050LR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 429K
代理商： MRF6S21050LR3
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21050LR3 MRF6S21050LSR3
Figure 2. MRF6S21050LR3(LSR3) Test Circuit Component Layout
C
B1
C7
C6
R1
C3
C1
C4, C5*
C8
C10
C11
C12
C13
C14
C9
C2
MRF6S21050L Rev. 1
* C4 on bottom, C5 on top.
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PDF描述
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S21050LS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6S21050LSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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