參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/24頁(yè)
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代理商： MRF6S20010GNR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
W-CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS
— 2110-2170 MHz
G
p
,
I
I
18
10
12
16
2220
2060
IRL
G
ps
η
D
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 13. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 1 Watt Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
16
55
18
17
16
15
45
47
49
η
D
,
E
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
51
14
14
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 1 W (Avg.), I
DQ
= 130 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
14.4
14.2
14
53
I
Figure 14. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
0
55
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
49
20
30
35
28
35
14
1
20
40
IM3
G
ps
η
D
,
p
,
42
45
η
D
ACPR
0.1
25
21
T
C
= 25 C
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 130 mA
f1 = 2165 MHz, f2 = 2175 MHz
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier
Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
7
50
10
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PDF描述
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