參數(shù)資料
型號： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/24頁
文件大小： 591K
代理商： MRF6S20010GNR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
— 2110-2170 MHz
2210
16
40
2050
40
5
IRL
G
ps
IMD
f, FREQUENCY (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (PEP)
I
DQ
= 130 mA, 100 kHz Tone Spacing
36
10
32
15
28
24
20
25
20
30
2130
2170
Figure 3. Two-Tone Wideband Performance
@ P
out
= 10 Watts (PEP)
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
11
18
1
I
DQ
= 195 mA
V
DD
= 28 Vdc, f = 2170 MHz
TwoTone Measurements
100 kHz Tone Spacing
17
14
12
10
30
30
60
10
0.1
1
10
20
30
40
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
G
p
,
I
I
10
70
10
0.1
7th Order
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 130 mA
f1 = 2170 MHz, f2 = 2170.1 MHz
TwoTone Measurements
5th Order
3rd Order
20
30
40
1
30
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Output Power
I
2090
15
65 mA
130 mA
50
35
0.1
η
D
,
p
,
η
D
16
13
97.5 mA
162.5 mA
I
I
130 mA
97.5 mA
195 mA
10
55
30
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (PEP)
I
DQ
= 130 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2170 MHz
5th Order
3rd Order
35
40
45
1
100
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
60
V
DD
= 28 Vdc, f = 2170 MHz
TwoTone Measurements
100 kHz Tone Spacing
162.5 mA
I
DQ
= 65 mA
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