參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 13/24頁
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代理商： MRF6S20010GNR1
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TEST SIGNAL
10
0.0001
100
0
PEAKTOAVERAGE (dB)
Figure 21. Single-Carrier CCDF N-CDMA
10
1
0.1
0.01
0.001
2
4
6
8
IS95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13) 1.2288 MHz Channel Bandwidth
Carriers. ACPR Measured in 30 kHz Bandwidth @
±
885
kHz Offset. ALT1 Measured in 12.5 kHz
Bandwidth @
±
1.25 M
Hz Offset. PAR = 9.8 dB @
0.01% Probability on CCDF.
P
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ACPR in 30 kHz
Integrated BW
.....
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60
110
10
(
20
30
40
50
70
80
90
100
+ACPR in 30 kHz
Integrated BW
1.2288 MHz
Channel BW
2.9
0.7
2.2
1.5
0
0.7
1.5
2.2
2.9
3.6
3.6
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. Single-Carrier N-CDMA Spectrum
ALT1 in 12.5 kHz
Integrated BW
+ALT1 in 12.5 kHz
Integrated BW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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